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品牌 | 中圖儀器 | 產地 | 國產 |
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加工定制 | 否 |
WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對射技術測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW 、WARP 、TIR 、SORI 等參數, 同時生成 Mapping 圖; 采用白光干涉測量技術對 Wafer 表面進行非接觸式掃描同時建立表面 3D 層析圖像, 顯示 2D 剖面圖和 3D 立體彩色視圖, 高效分析表面形貌 、粗糙度及相關 3D 參數; 基于白光干涉圖的 光譜分析儀, 通過數值七點相移算法計算, 達到亞納米分辨率測量表面的局部高度, 實現膜厚測量功能; 紅外傳感器發出的探測光在 Wafer不同表面反射并形成干涉, 由此計算出兩表面間的距離(即厚度), 可 適用于測量 Bonding Wafer 的多層厚度 。該傳感器可用于測量不同材料的厚度, 包括碳化硅 、藍寶石 、氮化鎵 、硅等。
WD4000無圖晶圓幾何量測系統可廣泛應用于襯底制造 、 晶圓制造 、及封裝工藝檢測 、3C 電子玻璃 屏及其精密配件、光學加工 、顯示面板 、MEMS 器件等超精密加工行業 。可測各類包括從光滑到粗糙 、低 反射率到高反射率的物體表面, 從納米到微米級別工件的厚度 、粗糙度 、平整度 、微觀幾何輪廓 、曲率等, 提供依據 SEMI/ISO/ASME/EUR/GBT 四大國內外標準共計 300 余種 2D 、3D 參數作為評價標準。
1、非接觸厚度 、三維維納形貌一體測量
集成厚度測量模組和三維形貌 、粗糙度測量模組, 使用一臺機器便可完成厚度 、TTV 、LTV、
BOW 、 WARP 、粗糙度 、及三維形貌的測量。
2、高精度厚度測量技術
采用高分辨率光譜共焦對射技術對 Wafer 進行高效掃描 。
搭配多自由度的靜電放電涂層真空吸盤, 晶圓規格最大可支持至 12 寸 。
采 用 Mapping 跟隨技術, 可編程包含多點 、 線 、 面的自動測量 。
3、高精度三維形貌測量技術
采用光學白光干涉技術 、精密 Z 向掃描模塊和高精度 3D 重建算法,Z 向分辨率高可到 0. 1nm;
隔振設計降低地面振動和空氣聲波振動噪聲, 獲得高測量重復性 。
機器視覺技術檢測圖像 Mark 點, 虛擬夾具擺正樣品, 可對多點形貌進行自動化連續測量 。
4、大行程高速龍門結構平臺
大行程龍門結構 (400x400 x75mm), 移動速度 500mm/s。
高精度花崗巖基座和橫梁, 整體結構穩定 、 可靠 。
關鍵運動機構采用高精度直線導軌導引 、AC 伺服直驅電機驅動, 搭配分辨率 0. 1μm 的光柵
系統, 保證設備的高精度 、 高效率 。
5、操作簡單 、輕松無憂
集 成 XYZ 三個方向位移調整功能的操縱手柄, 可快速完成載物臺平移 、 Z 向聚焦等測量前
準工作。
具備雙重防撞設計, 避免誤操作導致的物鏡與待測物因碰撞而發生的損壞情況 。
具備電動物鏡切換功能, 讓觀察變得快速和簡單 。
1、無圖晶圓厚度、翹曲度的測量
通過非接觸測量,將晶圓上下面的三維形貌進行重建,強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度、粗糙度、總體厚度變化(TTV),有效保護膜或圖案的晶片的完整性。
2、無圖晶圓粗糙度測量
Wafer減薄工序中粗磨和細磨后的硅片表面3D圖像,用表面粗糙度Sa數值大小及多次測量數值的穩定性來反饋加工質量。在生產車間強噪聲環境中測量的減薄硅片,細磨硅片粗糙度集中在5nm附近,以25次測量數據計算重復性為0.046987nm,測量穩定性良好。
懇請注意:因市場發展和產品開發的需要,本產品資料中有關內容可能會根據實際情況隨時更新或修改,恕不另行通知,不便之處敬請諒解。
型號 | WD4200 |
厚度和翹曲度測量系統 | |
可測材料 | 砷化鎵 、氮化鎵 、磷化 鎵、鍺、磷化銦、鈮 酸 鋰 、藍寶石 、硅 、碳化 硅 、玻璃等 |
測量范圍 | 150μm~2000μm |
測量參數 | 厚度、TTV(總體厚度變 化) 、LTV 、BOW、WARP 、平面度、線粗糙度 |
三維顯微形貌測量系統 | |
測量原理 | 白光干涉 |
測量視場 | 0.96mm×0.96mm |
可測樣品反射率 | 0.05%~ 100% |
測量參數 | 顯微形貌 、線/面粗糙度、空間頻率等三大 類300余種參數 |
系統規格 | |
晶圓尺寸 | 4" 、6" 、8" 、 12" |
晶圓載臺 | 防靜電鏤空真空吸盤載臺 |
X/Y/Z工作臺行程 | 400mm/400mm/75mm |
工作臺負載 | ≤5kg |
外形尺寸 | 1500× 1500×2000mm |
總重量 | 約 2000kg |
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